র্যাডিকাল আণবিক ফ্ল্যাশ মেমরি বিপুল পরিমাণে তথ্য সঞ্চয় করতে পারে

নোবেল অণু ফ্ল্যাশ মেমোরিটি তার স্টোরেজ সীমা অতিক্রম করতে সাহায্য করতে পারে, যা ইউরোপীয় বিজ্ঞানীদের মতে ছোট খালি জায়গাগুলিতে প্রচুর পরিমাণে তথ্য রেকর্ড করে দেয়।

মেটাল অক্সাইড ক্লাস্টারগুলি যা বৈদ্যুতিক চার্জ ধরে রাখতে পারে এবং RAM হিসাবে কাজ করে ফ্ল্যাশ মেমরিতে ব্যবহৃত ডাটা কোষগুলির জন্য একটি নতুন ভিত্তি তৈরি করতে পারে, স্পেনের গ্লাসগো বিশ্ববিদ্যালয়ের রসায়ন ও প্রকৌশল বিশ্ববিদ্যালয়ের গবেষক এবং স্পেনের রভীরা আই ভার্জিলি বিশ্ববিদ্যালয়ের প্রকৃতিতে প্রকাশিত একটি চিঠিতে লিখেছেন।

13 গবেষকগণের গ্রুপ বলেছে যে Polyoxometalate (POM) অণু এমওএস ফ্ল্যাশ মেমরি জন্য স্টোরেজ নোড হিসাবে কাজ করতে পারে। তারা একটি টাইপ মেমরি তৈরির জন্য "ডাইং-টু-ইয়াজ" লিখতে "পিওএম মেটাল-অক্সাইড ক্লাস্টার্স" synthesize করে এবং তাদের অভ্যন্তরীণ কোষে সিলেনিয়াম যোগ করার জন্য টুংস্টেন ব্যবহার করে।

[আরও পড়ুন: শ্রেষ্ঠ মিডিয়া স্ট্রিমিং এবং ব্যাকআপের জন্য NAS বক্সগুলি]

গ্লাসগো বিশ্ববিদ্যালয়

গবেষণাটি ফ্ল্যাশ মেমোরিতে ডাটা সেলগুলির আকারের সীমা নির্ধারণ করে, যা ব্যাপকভাবে মোবাইল ডিভাইস যেমন স্মার্টফোন, মেমোরি স্টিকস এবং ক্যামেরাগুলিতে ব্যবহৃত হয়।

ঐতিহ্যবাহী ফ্ল্যাশ মেমরি উপাদানগুলি স্থানান্তরের জন্য পৃথক অণু ব্যবহার করার ধারণাটি নতুন নয়, তবে আগের গবেষণার মতো কম তাপীয় স্থায়িত্ব এবং কম বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা সমস্যাগুলির সাথে লড়াই করা হয়েছে। এটি এমওএস প্রযুক্তিতে আণবিক মডেল প্রয়োগ করা কঠিন করে দিয়েছে।

গবেষকরা লিখেছেন যে, ন্যানোমিটারে পরিমাপের মাত্রাগুলির সাথে বস্তুর উল্লেখ করে, শিল্প-মানক যন্ত্রের সিমুলেশন ন্যানোমিটার স্কেলে তাদের পদ্ধতিটি যাচাই করেছে। তারা যোগ করেছেন যে POMs একটি বাস্তববাদী নানস্রেল ফ্ল্যাশ মেমরি হিসাবে ব্যবহার করা সম্ভাব্য।

"আমরা তৈরি করেছি POMs এর একটি প্রধান সুবিধা হল যেগুলি ইতিমধ্যেই শিল্পগুলিতে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয় এমন ডিভাইসগুলির সাথে তাদের তৈরি করা সম্ভব, তাই তারা গবেষণায় জড়িত একটি রসায়নবিদ লি ক্রনিন বলেন, গ্লাসগো রিলিজের একটি ইউনিভার্সিটি।